丰富的海外工作经历和企业、研究所、高校工作经验，长期从事新型半导体材料与器件的基础科学、工程技术和产业应用领域的创新探索研究。研究内容主要包括第三代半导体碳化硅、氮化镓和第四代半导体氧化镓的外延生长与掺杂机制、芯片设计与模拟仿真、芯片制备与模块集成，包括研制一系列SBD/MOSFET/HEMT功率器件和SBD/MSM/PN/PIN/APD光电器件。受邀撰写碳化硅材料与器件英文专著章节，已在Nature Physics、Advanced Sciences、Energy Storage Materials、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters等国际知名学术期刊和会议上发表论文100余篇，申请发明专利20余项，其中部分专利实现产业转化。

课题组诚邀：助理教授、博士后、科研助理、博士生(含在职)、硕士生加盟。

课题组主页：http://team.xmu.edu.cn/XMU_PSL/zh_CN/index.htm

学历工作：

厦门大学 学士和博士

新加坡南洋理工大学 博士后

新加坡国立大学 博士后

新加坡科技研究局 科学家

研究方向：

宽禁带半导体(氧化镓、碳化硅、氮化镓等)及其功率电子和光电子器件

主讲课程：

《微电子制造科学原理》、《宽禁带半导体材料与器件》、《第三代半导体先进工艺技术》

学术兼职：

Springer Nature、IEEE、AIP、ACS、RSC、Elsevier、Wiley旗下40余个国际知名学术期刊评审专家

成果奖励：

福建省“*专百*计划”

福建省引进海外高层次人才

福建省闽江学者奖励计划

厦门市引进海外高层次人才

厦门市“双百计划”

新加坡技术创新奖

新加坡科技研究局专题报道

入选新加坡南洋莆仙人物志

课题项目：

科研项目总经费逾五千万：

深圳市基础研究专项，沟槽型氧化镓肖特基势垒二极管研究，30万，2025.01-2027.12，主持

企业委托研发项目，第三代半导体车规级功率芯片研制，500+万，2024.06-2029.05，主持

厦门市双百计划创新项目，第四代半导体氧化镓功率器件研究，50万，2023.01-2025.12，主持

福厦泉国家自主创新示范区协同创新平台项目，化合物半导体技术研究，200万，2023.01-2025.12，参与

国家自然科学基金面上项目，常关型氧化镓异质结晶体管研究，56万，2022.01-2025.12，主持

企业委托研发项目，碳化硅功率器件与光伏逆变器研制，100万，2021.06-2024.05，主持

福建省高层次人才项目，第三代半导体器件研究，200万，2021.01-2025.12，主持

福建省引才引智计划项目，第三代半导体功率器件研究，20万，2021.01-2022.06，主持

新加坡国家重大项目，新一代半导体材料与器件，3700万，2016.01-2020.12

新加坡经济发展局(EDB)和美国DuPont公司联合项目，420万，硅基太阳能电池研究, 2010.01-2012.12，

新加坡教育部项目，宽禁带半导体氧化物外延生长及特性研究

国家省市科学基金项目，碳化硅(4H-SiC)材料与光电器件(SBD、MSM、PIN、APD)

代表性论文：

[1]Xinwei Wang, Weifeng Yang* et al., Facilitating Flat-band Voltage Shifts of 4H-SiC MOS Capacitors by HfO₂/SiO₂ Laminated Stacks with Multiple Interfacial Dipole Layers, Applied Physics Letters, revision submitted (2025).

[2]Ying Li, Weifeng Yang* et al., First Demonstration of CuCrO₂/β-Ga₂O₃ p-n Heterojunction Diode With High Breakdown Voltage and Low Leakage Current, IEEE Transactions on Electron Devices, revision submitted (2025).

[3]Xinwei Wang, Weifeng Yang* et al., High-Speed and Responsivity 4H-SiC MISIM Ultraviolet Photodetector With Si_xN_1-x Interlayer by Atomic Nitrogen Treatment, IEEE Sensors Journal, submitted (2025).

[4]Shuaihang Xu, Weifeng Yang* et al., Atomic-Scale Interface Engineering of High-Quality β-Ga₂O₃ Heteroepitaxial Thin Films by MBE for Ultra-Sensitive Solar-Blind Photodetectors, IEEE Transactions on Electron Devices, submitted (2025).

[5]Xingkun Peng, Weifeng Yang* et al., Modulating Oxygen Vacancies in β-Ga₂O₃ Microflake for High-responsivity Solar-blind Photodetectors, IEEE Sensors Journal, submitted (2025).

[6]Shubo Wei, Weifeng Yang* et al., Increase Fixed Charge at Al₂O₃/Ga₂O₃ Interface for High-performance Ga₂O₃ Trench Schottky Barrier Diodes by Atomic Nitrogen Treatment, Applied Physics Letters, revision submitted (2025).

[7]Ying Li, Weifeng Yang* et al., Trap States Density Reduction in CuCrO₂/β-Ga₂O₃ p-n Heterojunction Diodes by Oxygen Plasma Treatment for High-Performance Power Devices, Applied Physics Letters, submitted (2025).

[8]Chengyi Tian, Weifeng Yang* et al., Performance and Stability Improvements in β-Ga₂O₃ MOSFET With Thin HfAlO Gate Dielectric by O₂ Plasma Pretreatment, IEEE Transactions on Electron Devices, submitted (2025).

[9]Mingtao Long, Weifeng Yang* et al., Vertical β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes with Low Reverse Leakage Current and High on/off Current Ratio by Atomic Nitrogen Treatment, IEEE Transactions on Electron Devices, submitted (2025).

[10]Zifan Hong, Weifeng Yang* et al., Low Turn-on Voltage and Reverse Leakage Current β-Ga₂O₃ MIS Schottky Barrier Diode with an AlN Interfacial Layer, IEEE Transactions on Electron Devices 71, 6934 - 6941 (2024).

[11]Jialong Lin, Weifeng Yang* et al., Plasmon-Enhanced Performance in Self-Powered Solar-Blind CuCrO2/β-Ga2O3 Heterojunction Photodetectors with Al Nanoparticles, IEEE Sensors Journal 24, 40717 – 40724 (2024).

[12]Xiaofeng Ye, Weifeng Yang* et al., Trench Beside Field Limiting Rings Terminal for Improved 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes: Proposal and Investigation, Microelectronics Reliability 160, 115459 (2024).

[13]Huihuang Ke, Weifeng Yang* et al., High-performance 8×8 4H-SiC-Based MISIM Photodetector Arrays for UV Imaging, IEEE Photonics Technology Letters 36, 239-242 (2024).

[14]Jialong Lin, Weifeng Yang* et al., High Responsivity Self-Powered Solar-Blind Photodetectors Based on Magnetron Sputtered CuCrO₂/β-Ga₂O₃ p-n Heterojunction, IEEE Transactions on Electron Devices 71, 3045-3049(2024).

[15]Xinwei Wang, Weifeng Yang* et al., Simultaneous Electric Dipoles and Flat-band Voltage Modulation in 4H-SiC MOS Capacitors through HfO₂/SiO₂ Interface Engineering, Journal of Physics D: Applied Physics 57, 37LT01(1-5) (2024).

[16]Ze Yang, Weifeng Yang* et al., Lowering Schottky Barrier Height by Quasi-van Der Waals Contacts for High-performance P-type MoTe₂ Field-Effect Transistors, ACS Applied Materials & Interfaces 16, 23752−23760 (2024).

[17]Chuanlun Zhang Weifeng Yang* et al., High-Performance β-Ga₂O₃ MISIM Solar-Blind Photodetectors with An Interfacial AlN Layer, IEEE Photonics Technology Letters 36, 593-596 (2024).

[18]Chengyi Tian, Weifeng Yang* et al., Effect of Oxygen Precursors on Growth Mechanism in High-quality β-Ga₂O₃ Epilayers on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy and Related Solar-blind Photodetectors, IEEE Sensors Journal 24, 14109-14117 (2024).

[19]Jinyong Wang, Weifeng Yang* et al., Synergistically Modulating Conductive Filaments in Ion-Based Memristors for Enhanced Analog In-Memory Computing, Advanced Science 11, 2309538 (2024).

[20]Jie Zhang*, Weifeng Yang* et al., Self-aligned ionic doping of TiO₂ thin film transistors for enhanced current drivability via post-fabrication superacid treatment, ACS Applied Materials & Interfaces 16, 51010−51019 (2024).

[21] Science China Materials 65, 741-747 (2022). (JCR一区，TOP期刊，IF: 8.2)

[22] Energy Storage Materials23, 1-7 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 20.8)

[23] Nano Energy 56, 269-276 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 19.0)

[24] Journal of Materials Chemistry A 7, 13339-13346 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 14.5)

[25] Nature Physics 15, 347-351 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 19.6)

[26] ACS Nano 12, 2506−2513 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 18.0)

[27] Nano Energy 49, 588-595 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 19.0)

[28] Nanoscale 10, 22927-22936 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 8.3)

[29] Nanoscale 10, 20113-20119 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 8.3)

[30] Applied Physics Letters 112, 171604 (2018). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[31] Advanced Materials 27, 6208–6212 (2015). (JCR一区，TOP期刊，IF: 32.0)

[32] Applied Physics Letters 102, 111901 (2013). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[33] Applied Physics Letters 98, 121903 (2011). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[34] IEEE Electron Device Letters 32, 530 (2011). (JCR二区，TOP期刊，IF: 4.8)

[35] IEEE Electron Device Letters 31, 588 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 4.8)

[36] Applied Physics Letters 97, 061911 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[37] Applied Physics Letters 97, 061104 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[38] Applied Physics Letters 92, 251102 (2008). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[39] Applied Physics Letters 97, 081107 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

[40] Applied Physics Letters 96, 031902 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)

代表性专利

[1] 杨伟锋，帅浩 张明昆 | 一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件 中国专利号：ZL 202110493226.X

[2] 杨伟锋，帅浩 | 一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法 | 中国专利号：ZL 202110493226.X

[3] 杨伟锋，帅浩，张保平 | 一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 | 中国专利号：ZL 202111021113.6

[4] 杨伟锋，林嘉隆等 |一种高响应度自供电日盲光电探测器及其制备方法 | 主要发明者：中国专利号：202410021349.7

[5] 杨伟锋，翁宏锦等 |一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路 | 中国专利号：CN202410487045.X

[6] 杨伟锋，陈祖岗，翁宏锦，石紫亮 | 一种基于自适应模糊控制的光伏逆变器 | 中国专利号：202310563515.1

[7] 杨伟锋，王鑫炜，冶晓峰，龙明涛 | 一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造方法 | 中国专利号：ZL 202310089969.X

[8] 杨伟锋，冶晓峰，王懿锋，王鑫炜 | 一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法 | 中国专利号：202211743085.3

[9] 杨伟锋，冶晓峰，王懿锋，王鑫炜 | 一种用于SiC功率器件的阶梯状复合终端结构及其制造方法 | 中国专利号：202211743100.4

[10] 杨伟锋，王鑫炜，冶晓峰，龙明涛 | 一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法 | 中国专利号：ZL 202310089961.3

[11] 王懿锋，杨伟锋 | 一种 PN 结栅氧化镓基 MODFET 器件及其制备方法 | 中国专利号：202411346806.6

[12] 杨伟锋，孙游成，翁宏锦，石紫亮 | 单相两级光伏并网逆变器遮光条件下功率点跟踪系统 | 中国专利号：202410826390.1

[13] 杨伟锋，翁宏锦，陈祖岗，袁嘉利，孙游成，石紫亮 | 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路 | 中国专利号：202410487045.X

[14] 陈祖岗，翁宏锦，袁嘉利，孙游成，石紫亮，杨伟锋 | 一种基于卡尔曼滤波器的光伏逆变器及其并网控制方法 | 中国专利号：202410431511.2

[15] 袁嘉利，陈祖岗，孙游成，翁宏锦，石紫亮，杨伟锋 | 一种改进型扰动观察法的最大功率点追踪算法 | 中国专利号：202410063064.X

[16] 杨伟锋，袁嘉利，孙游成，石紫亮 | 一种基于模糊PID控制的碳化硅光伏逆变器散热方法 | 中国专利号：202311416595.4

[17] 杨伟锋，洪梓凡，彭行坤，张捷 | 一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法 | 中国专利号：202311264299.7

[18] 杨伟锋，田成义，张传伦，张捷 | 采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件及制备方法 | 中国专利号：202310862139.6

[19] 詹鸿儒，周斯加，杨伟锋 | 一种p型栅结构常关型GaN HEMT器件及制备方法 | 中国专利号：202411915530.9

[20] 李成超，周斯加，杨伟锋 | 一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 | 中国专利号：202510103718.1